(一)LED发光原理

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,,如GaAs(砷化镓)、、、GaP(磷化镓)、、、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,,其焦点是PN结!!!R虼怂哂幸话鉖-N结的I-N特征,,即正向导通,,反向阻止、、、击穿特征!!!1鸬,,在一定条件下,,它还具有发光特征!!!T谡虻缪瓜,,电子由N区注入P区,,空穴由P区注入N区!!!=攵苑角虻纳偈亓髯樱ㄉ僮樱┮徊糠钟氪蠖荚亓髯樱ǘ嘧樱└春隙⒐,,
假设发光是在P区中爆发的,,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,,或者先被发光中心捕获后,,再与空穴复合发光!!!3苏庵址⒒指春贤,,尚有些电子被非发光中心(这其中心介于导带、、、介带中心周围)捕获,,此后再与空穴复合,,每次释放的能量不大,,不可形成可见光!!!7⒐獾母春狭肯喙赜诜欠⒒指春狭康谋壤酱,,光量子效率越高!!!S捎诟春鲜窃谏僮永┥⑶诜⒐獾,,以是光仅在靠近PN结面数μm以内爆发!!! 理论和实践证实,,光的峰值波长λ与发光区域的半导体质料禁带宽度Eg有关,,即λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)!!!H裟鼙⒖杉猓úǔぴ380nm紫光~780nm红光),,半导体质料的Eg应在3.26~1.63eV之间!!!1群旃獠ǔこさ墓馕焱夤!!!O衷谝延泻焱、、、红、、、黄、、、绿及蓝光发光二极管,,但其中蓝光二极管本钱、、、价钱很高,,使用不普遍!!!
(二)LED的特征
1.极限参数的意义
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两规则向直流电压与流过它的电流之积的最大值!!!A杓荽酥,,LED发热、、、损坏!!!
(2)最大正向直流电流IFm:::允许加的最大的正向直流电流!!!A杓荽酥悼伤鸹刀极管!!!
(3)最大反向电压VRm:::所允许加的最大反向电压!!!A杓荽酥,,发光二极管可能被击穿损坏!!!
(4)事情情形topm:发光二极管可正常事情的情形温度规模!!!5陀诨蚋哂诖宋露裙婺,,发光二极管将不可正常事情,,效率大大降低!!!